晶体生长用密闭式换气系统
授权
摘要
本实用新型公开了晶体生长用密闭式换气系统，包括外箱体，所述外箱体内侧固定连接有压力层，所述压力层内侧壁固定连接有隔热层，所述外箱体侧壁靠近顶部位置固定连接有鼓风机，所述鼓风机远离外箱体侧固定连接有输气管，所述外箱体侧壁对称设置有输气孔，且一输气孔位于鼓风机侧，所述外箱体靠近输气孔处设置有密封装置，所述外箱体靠近密封装置处设置有限位槽。本实用新型中，在隔热层设置有隔热装置，通过多层隔热板，阻拦箱体内部大量热量流失，同时在外箱体外侧设置有水箱和冷凝管，通过液态水对置换气体进行冷却，防止高温对装置产生影响，从而损坏装置，冷凝装置简单，大大降低装置的使用成本，值得大力推广。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长用密闭式换气系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020558442.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN213013169U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
段斌斌乐刚冉金平颜水鑫常慧苏艳芳
申请人 ：
天通银厦新材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市西夏区银川经济技术开发区宏图南街296号
代理机构 ：
银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵嬛嬛
优先权 ：
CN202020558442.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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