一种不合格硅片检测装置
授权
摘要

本实用新型涉及太阳能电池生产领域,一种不合格硅片检测装置,硅片(3)上方和下方分别布有成均匀点阵结构的多块圆形的导电片(2),硅片(3)上方的每块导电片(2)轴心线都与硅片(3)下方的一块导电片(2)的轴心线重合,轴心线重合的两块导电片(2)构成一个平行板电容器,每个平行板电容器都连接一个电容检测装置,电容检测装置连接电脑,将实时检测到的电容值传送到电脑,成点阵结构的电容的电容值变化情况,反应着制绒、扩散、刻蚀过程是否均匀。

基本信息
专利标题 :
一种不合格硅片检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020678544.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-28
授权号 :
CN212483693U
授权日 :
2021-02-05
发明人 :
申开愉李雪方郭卫杨飞飞吕涛郭丽梁玲
申请人 :
山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请人地址 :
山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
代理机构 :
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 :
李富元
优先权 :
CN202020678544.4
主分类号 :
G01R27/26
IPC分类号 :
G01R27/26  G01R31/26  H01L21/66  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量;品质因数的测量,例如通过应用谐振法;损失因数的测量;介电常数的测量
法律状态
2021-02-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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