一种改良型大功率贴片二极管
授权
摘要
本实用新型公开的一种改良型大功率贴片二极管，其由芯片和两个铜引脚焊合后再采用封装料封装而成；两个铜引脚采用厚度一直的铜片按照一定的要求弯曲成形，在与芯片焊合的部位冲制有凸点以及在冲制凸点时所形成的凹坑，在所述凹坑内填充有与所述凹坑形状像适配且用于增加散热面积的铜粒，其特征在于，两个铜引脚上的凹坑的开口均朝背离重力的方向，且所述芯片上面的一个铜引脚中的凸点和所述芯片下面的一个铜引脚的凹坑内的铜粒与芯片的两极焊合。本实用新型的两个铜引脚中的凹坑均朝向背离重力的方向，在封装过程中，两个铜引脚的凹坑中的铜粒不会掉出来，在封装过程中，不会因为焊锡熔化而使得铜粒掉出来，从而具有方便操作，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种改良型大功率贴片二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020841349.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN211788992U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
林茂昌
申请人 ：
上海金克半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区颛兴路1421弄135号（1栋B区）
代理机构 ：
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕伴
优先权 ：
CN202020841349.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/49 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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