微机电传感器连接结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本申请公开了一种微机电传感器连接结构,该连接结构包括:微机电传感器,微机电传感器包括基板和壳体,基板与壳体之间形成空腔,空腔内设置有芯片,芯片包括MEMS芯片,基板上设置有进音孔;底板,微机电传感器位于底板上;其中,微机电传感器的基板与底板相连接,基板与底板之间具有间隙,底板至少部分封堵进音孔,以改变微机电传感器对于声音的敏感性。由于使用不带声孔的底板,对空腔内的结构提供了更好的保护并调整了产品的性能,提高了产品的稳定性,拓展了产品的使用场景,降低了设计和生产成本。

基本信息
专利标题 :
微机电传感器连接结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021149313.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-19
授权号 :
CN212393002U
授权日 :
2021-01-22
发明人 :
刘新华于艳阳万蔡辛
申请人 :
无锡韦尔半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN202021149313.0
主分类号 :
H04R19/04
IPC分类号 :
H04R19/04  
法律状态
2021-10-15 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H04R 19/04
变更事项 : 专利权人
变更前 : 无锡韦尔半导体有限公司
变更后 : 无锡韦感半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
变更后 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
2021-01-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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