微机电传感器封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本申请公开了一种微机电传感器封装结构,该封装结构包括:基板;支撑件,位于所述基板上,所述支撑件与所述基板之间形成空腔,所述支撑件上设置有进音孔;芯片,所述芯片位于所述空腔中,所述芯片包括MEMS芯片;封堵装置,所述封堵装置位于所述支撑件上;其中,所述封堵装置对所述进音孔的至少部分进行封堵,以改变所述微机电传感器封装结构对于声音的敏感性。由于封堵装置的存在,对空腔内的结构提供了更好的保护并调整了产品的性能,提高了产品的稳定性,拓展了产品的使用场景,降低了设计和生产成本。

基本信息
专利标题 :
微机电传感器封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021149315.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-19
授权号 :
CN212393001U
授权日 :
2021-01-22
发明人 :
刘新华朱翠芳万蔡辛
申请人 :
无锡韦尔半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN202021149315.X
主分类号 :
H04R19/00
IPC分类号 :
H04R19/00  
法律状态
2021-10-22 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H04R 19/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 无锡韦尔半导体有限公司
变更后 : 无锡韦感半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
变更后 : 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5层
2021-01-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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