强化的微机电封装结构

专利权的终止

摘要

本实用新型提供一种强化的微机电封装结构，该微机电封装结构是在完成焊线制造工序后及进行压模制造工序前，增加一道覆胶制造工序，用保护胶体包覆微机电芯片、驱动芯片、引线及部分导线架，使微机电结构多一层保护，改善熟知的微机电封装时结构容易断裂的问题，得到尺寸小且结构强化的封装体。

基本信息

专利标题：

强化的微机电封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620123025.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-07-31

授权号：

CN2935473Y

授权日：

2007-08-15

发明人：

吴万华庞思全

申请人：

矽格股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇北兴路一段436号

代理机构：

北京挺立专利事务所

代理人：

皋吉甫

优先权：

CN200620123025.1

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L23/31 H01L23/488 B81B7/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

法律状态

2010-11-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101014885604
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2006201230251
申请日 : 20060731
授权公告日 : 20070815
终止日期 : 20090831

2007-08-15 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载