薄膜晶体管、阵列基板以及电子装置

授权

摘要

一种薄膜晶体管、阵列基板以及电子装置，该薄膜晶体管包括衬底和位于衬底上的有源层，有源层包括层叠设置的多层氧化物，该多层氧化物包括沟道层、过渡层和第一阻挡层，沟道层为多层氧化物中载流子迁移率最大的层，沟道层为结晶氧化物层或者非晶氧化物层，过渡层直接接触沟道层，第一阻挡层为该多层氧化物中的最外层氧化物，第一阻挡层和过渡层都为结晶氧化物层，第一阻挡层和过渡层的结晶化程度都大于沟道层的结晶化程度，第一阻挡层和过渡层的带隙都大于沟道层的带隙。该薄膜晶体管具有高迁移率和高稳定性。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、阵列基板以及电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021199202.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-24

授权号：

CN211957649U

授权日：

2020-11-17

发明人：

黄杰宁策李正亮胡合合贺家煜姚念琦曲峰许晓春

申请人：

京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王晓燕

优先权：

CN202021199202.0

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/34 H01L27/12