一种二极管酸洗装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种二极管酸洗装置,包括酸洗池和加热装置,酸洗池的底部设置有支架,酸洗池的左侧设置有水箱,水箱内设置有加热装置,酸洗池的外壁设置有夹层,水箱的侧面设置有出水管,水箱的侧面设置有进水管,出水管与进水管分别与夹层相连接,酸洗池的上方设置有物料架,物料架一侧开有若干第一凹槽,物料架的另一侧设置有若干个第二凹槽,物料架开有第一凹槽的一侧的一端设置有第一齿轮,第一齿轮上设置有电机,第一齿轮上设置有链条,链条上设置有第二齿轮,第一凹槽上设置有物料框,水箱上方设置有注水口,进水管设置在水箱侧面的上方,出水管设置在水箱侧面的下方,该装置结构简单,可有效提高二极管的清洗效果。

基本信息
专利标题 :
一种二极管酸洗装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021280939.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-02
授权号 :
CN212570935U
授权日 :
2021-02-19
发明人 :
刘美侠孙延永汪勇刘立露仲伟松
申请人 :
宿迁学院
申请人地址 :
江苏省宿迁市黄河南路399号
代理机构 :
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张铁兰
优先权 :
CN202021280939.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/329  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200702
授权公告日 : 20210219
终止日期 : 20210702
2021-02-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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