一种具有缓冲结构的硅晶片
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摘要
本实用新型公开了一种具有缓冲结构的硅晶片，包括板体、晶片和固定基体，所述板体的中间位置处设置有晶片，所述板体的背面设置有固定基体，所述板体的外部包覆有缓冲结构，所述缓冲结构包括缓冲橡胶带、橡胶条、缓冲球、缓冲弹簧和凹形槽，所述板体的外壁开设有凹形槽。本实用新型通过设置有缓冲结构提供更好的缓冲效果，在板体外部设置有凹形槽，凹形槽上包覆有缓冲橡胶带，缓冲橡胶带的内部设置有橡胶条，表面则贯穿有缓冲球，缓冲球与橡胶条接触，同时缓冲球内部设置有缓冲弹簧，总体具有良好的缓冲，当与物体接触时缓冲球配合缓冲弹簧进行缓冲，后橡胶条和缓冲橡胶带整体进行缓冲，多重缓冲提升缓冲效果。
基本信息
专利标题 ：
一种具有缓冲结构的硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021282990.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-04
授权号 ：
CN212230410U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
鲁长运王艳丽
申请人 ：
昆山台洋电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市千灯镇景唐南路389号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021282990.X
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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