多层裂缝防止环结构与具有此结构的晶片
专利权的终止
摘要
一种多层裂缝防止环结构，此多层裂缝防止环结构可位于小片密封环与切割道之间，或是位于双小片密封环之间而不需占用切割道的空间。此多层裂缝防止环结构可为相同材料的裂缝防止环堆栈而成，或是由多层的裂缝防止环以错位的方式堆栈而成。此多层裂缝防止环结构，可有效避免切割道上产生龟裂、脱层或裂痕等损伤。并可使切割出小片较为完整，以大幅提升封装体的可靠度。
基本信息
专利标题 ：
多层裂缝防止环结构与具有此结构的晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971887A
申请号 ：
CN200510126851.1
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴炳昌
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126851.1
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101180311231
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101268511
申请日 : 20051124
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20101124
号牌文件序号 : 101180311231
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101268511
申请日 : 20051124
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20101124
2009-08-12 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100527389C.PDF
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