一种采用超声焊接端子的半导体功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种采用超声焊接端子的半导体功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021481608.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN212851215U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
姚二现王立李宇柱黄全全杨金龙刘克明
申请人 ：
南瑞联研半导体有限责任公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁经济开发区诚信大道19号2幢
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
母秋松
优先权 ：
CN202021481608.8
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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