基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域。基于HTCC工艺的三维垂直互联结构包括基板组和两个微带线，基板组上设置有由上至下垂直贯穿基板组的信号传输通孔、以及环绕信号传输通孔设置的多个屏蔽通孔，多个屏蔽通孔与信号传输通孔形成类同轴结构，用于屏蔽电磁干扰，多个屏蔽通孔和信号传输通孔内分别填充有导电体，两个微带线通过位于信号传输通孔内的导电体实现信号传输。本实用新型还提供了一种T/R组件。本实用新型提供的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，有效降低了信号泄漏风险，避免了外界电磁干扰对微波信号传输造成不良影响。
基本信息
专利标题 ：
基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021507275.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212908021U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
厉志强张帅乔明昌
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
付晓娣
优先权 ：
CN202021507275.1
主分类号 ：
H01P3/08
IPC分类号 ：
H01P3/08
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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