一种用于制备63Niβ源的四孔电沉...
授权
摘要
本实用新型提供一种用于制备63Niβ源的四孔电沉积槽装置，其包括电沉积槽槽体、阳极丝、底座、阴极导出垫片、橡胶垫片、沉积源片以及沉积源垫片；本方案的四孔电沉积槽通过将电沉积槽槽体和底座构成相互卡紧连接的结构形式，其在使用和拆卸时都极为方便；同时在电沉积槽槽体内腔底端设置有四个电沉积槽，其能够一次能够得到四枚放射源，大大提高了Ni‑63β源的生产效率；此外通过将沉积源垫片、沉积源片以及橡胶垫片通过螺丝锁紧安装在底座内腔中，能够有效防止沉积液泄露，保证电沉积作业的顺利进行。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制备63Niβ源的四孔电沉积槽装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021531339.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN213417033U
授权日 ：
2021-06-11
发明人 ：
高岩刘明阳王念崔洪起王安达付轲新
申请人 ：
原子高科股份有限公司
申请人地址 ：
北京市房山区新镇三强路1号
代理机构 ：
北京天悦专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田明
优先权 ：
CN202021531339.1
主分类号 ：
C25C7/00
IPC分类号 ：
C25C7/00 C25C1/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25C
电解法生产、回收或精炼金属的工艺；其所用的设备
C25C7/00
电解槽的结构部件，或其组合件；电解槽的维护或操作
法律状态
2021-06-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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