一种真空室水冷结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种真空室水冷结构，包括真空室、水冷外壁以及至少两水嘴，所述真空室嵌套在所述水冷外壁内并形成一密闭空间内，所述真空室以及所述水冷外壁同轴心，所述水冷外壁外周缘连接有水嘴，所述密闭空间借助一侧的水嘴向其中注入冷却水。真空室内的热量由此传递给水套夹层内的水，水自然对流，不会在双层水套内形成死角，从而造成真空室内局部过热。
基本信息
专利标题 ：
一种真空室水冷结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021562570.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN213266792U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
侯荣华彭俊杰王红雪刘敏强宁树兴柴喜红
申请人 ：
北京清碳科技有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区林河经济开发区林河大街22号院26号楼5层501室(科技创新功能区)
代理机构 ：
六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
鲁晓瑞
优先权 ：
CN202021562570.7
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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