一种真空室结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种真空室结构，包括真空室壁、安装板以及水冷外壁，所述真空室壁套设在所述水冷外壁内部，所述安装板设置在所述水冷外壁下部且所述安装板套设在所述真空室壁外壁并将所述真空室壁分为上下两部分，所述真空室壁上部分与水冷外壁形成水套夹层，所述水套夹层用于填充循环冷却水。本实用新型提供了一种新型的真空室结构，以解决现有的真空室结构无法应用于单晶金刚石生长，且操作不便的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种真空室结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021562605.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN213417070U
授权日 ：
2021-06-11
发明人 ：
侯荣华彭俊杰王红雪刘敏强宁树兴柴喜红
申请人 ：
北京清碳科技有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区林河经济开发区林河大街22号院26号楼5层501室(科技创新功能区)
代理机构 ：
六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
鲁晓瑞
优先权 ：
CN202021562605.7
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C30B25/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2021-06-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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