一种晶圆背面减薄的结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶圆背面减薄的结构，包括晶圆本体，所述晶圆本体的底部开设有圆槽，所述圆槽的边缘处形成有圆边，其槽底中心固定连接有凸块，所述凸块的横截面为圆形，其中心开设有定位槽，所述定位槽为圆形，其槽内插入有定位杆，所述定位杆的底端杆身固定连接有若干根固定杆。本实用新型具有结构设计合理，厚度较薄，稳定性高，中央部分可得到承托，从而有效降低了晶圆加工的破碎率等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆背面减薄的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021591850.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212570927U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
李江华孙效中汤为
申请人 ：
常州旺童半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区科教城铭赛科技大厦C503
代理机构 ：
常州品益专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张岳
优先权 ：
CN202021591850.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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