一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装

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摘要

一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：包括：透气钢、密封圈、凸台、吸真空口，所述凸台为四周封闭的中空结构，所述凸台上表面开有若干用于放置基片的区域，所述透气钢设置在所述区域中，所述透气钢四周设置所述密封圈，所述凸台下表面设置所述吸真空口。有益效果：本实用新型所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装通过凸台的开孔区域限定基片的位置，采用吸真空固定基片，通过透气钢作为基片对的接触介质，保证吸力均匀，采用密封圈保证密封性，防止漏气及杂质进入，相对于粘蜡法有效提高了效率。

基本信息

专利标题：

一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022026355.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-16

授权号：

CN212683553U

授权日：

2021-03-12

发明人：

刘溪笔刘云志杨国兴吴继伟

申请人：

大连达利凯普科技股份公司

申请人地址：

辽宁省大连市经济技术开发区光明西街10号1-4层

代理机构：

大连智高专利事务所(特殊普通合伙)

代理人：

毕进

优先权：

CN202022026355.1

主分类号：

B24B37/28

IPC分类号：

B24B37/28 B24B37/30 H01G13/00 H01G4/12