基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本实用新型中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。
基本信息
专利标题 ：
基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022029958.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN212569097U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
柏沁园韦一唐莹王玉龙
申请人 ：
中国计量大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区学源街258号中国计量大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022029958.7
主分类号 ：
G01R33/10
IPC分类号 ：
G01R33/10 G01R33/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/10
磁场分布的绘制
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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