一种异形籽晶及高质量氮化铝晶体
授权
摘要
本实用新型公开了一种异形籽晶，用于悬挂于籽晶架上进行氮化铝晶体的外延生长，包括底端悬挂部、中间衔接部和顶端外延部，当其悬挂于籽晶架上时，所述底端悬挂部的下表面完全覆盖籽晶架的内孔，所述顶端外延部位于籽晶架下方，并通过位于籽晶架内孔中的中间衔接部连接底端悬挂部，所述顶端外延部的顶面为氮化铝晶体生长表面。本实用新型的异形籽晶使用时表面低于坩埚顶面形成悬空状态，避免了籽晶周边的多晶寄生而引起大量缺陷，同时解决了传统化学粘结固定籽晶的方法带来易掉落、气孔反窜进入晶体产生空洞等问题，有利于提高氮化铝晶体的外延生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种异形籽晶及高质量氮化铝晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022036241.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213172684U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
吴亮王琦琨雷丹李哲朱如忠黄嘉丽付丹扬张刚
申请人 ：
奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室
代理机构 ：
杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李学红
优先权 ：
CN202022036241.5
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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