一种MOSFET功率模块直流滤波结构布局
授权
摘要
本实用新型公开了一种MOSFET功率模块直流滤波结构布局，包括安装支架，所述安装支架包括底部支撑架、侧部挡板和安装连接板，安装连接板下端的两侧对称连接有固定拉板，固定拉板下端与底部支撑架的一侧固定连接，安装连接板的上端开设有安装螺栓孔，安装连接板的两端对称连接有安装块，安装块上安装有侧部挡板。本MOSFET功率模块直流滤波结构布局，通过底部支撑架、侧部挡板和安装连接板构成安装支架，实现第一PCB板和第二PCB板垂直设置，立体分布，节省空间，方便安装，同时在第一PCB板下设置水冷装置，为其进行降温散热，并在第一PCB板和第二PCB板之间设置散热风扇，通过双重降温，提高散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET功率模块直流滤波结构布局
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022101283.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213027786U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
秦小雷
申请人 ：
上海安沛动力科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路555号乙楼A2035室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022101283.2
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H05K7/14 H05K7/02 H05K7/20
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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