一种半导体成型分离模具
授权
摘要
一种半导体成型分离模具，包括：下模板；下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。本实施例实施时，随着第一上顶块顶至第一高度，第二上顶块上顶将芯片顶至第二高度，由于第一高度高于第二高度，将芯片顶到不同的高度，进而可以将料管放置在不同的高度，降低了料管体积对芯片密度的影响，提高芯片切割效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体成型分离模具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022276988.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN214505444U
授权日 ：
2021-10-26
发明人 ：
储成山纵雷陈昌太代迎桃
申请人 ：
安徽大华半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区文曲路919号超远装备制造大楼B幢三层
代理机构 ：
北京双收知识产权代理有限公司
代理人 ：
王俊峰
优先权 ：
CN202022276988.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-10-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
