半导体封装模具及半导体元件
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体封装模具及半导体元件,包括模具流道、模具型腔以及连接所述模具流道与所述模具型腔的浇口,所述模具型腔包括第一型腔以及第二型腔,所述第一型腔的型腔空间大于所述第二型腔的型腔空间,所述浇口与所述模具型腔于所述第二型腔处相连,所述浇口呈倾斜设置,其中封装材料的流动方向为朝向所述第二型腔空间的底部。本方案中将浇口设置为倾斜,相对于传统的浇口设置方案增加了封装材料向下型腔中流动的速度,降低了封装材料向上型腔中流动的速度使第一型腔与第二型腔中的封装材料流动实现模流平衡,上下型腔的封装材料同时流动到模具末端,从而解决困气问题。
基本信息
专利标题 :
半导体封装模具及半导体元件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920606731.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-29
授权号 :
CN209691721U
授权日 :
2019-11-26
发明人 :
曹周
申请人 :
杰群电子科技(东莞)有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市黄江镇裕元工业区内精成科技园A、B栋
代理机构 :
北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王新爱
优先权 :
CN201920606731.9
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2019-11-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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