半导体元件的封装基座
专利权的终止
摘要
一种半导体元件的封装基座，是以金属粉末冶金射出的加工方式，一体成型制作出一散热基座上方形成一固定架及一保护架的封装基座，该保护架环绕于该固定架，并具有一工作缺口；金属粉末的材料为铜、铁、钨、钼、铝、铟、镓中一种或其合金。本实用新型可提升散热效果，并减少制程。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的封装基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620116093.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-05-26
授权号 ：
CN2938400Y
授权日 ：
2007-08-22
发明人 ：
严宪政李鸿生吴明倬欧思村
申请人 ：
华上光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
天津三元专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
郑永康
优先权 ：
CN200620116093.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01S5/024
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2016-06-29 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101667771139
IPC(主分类) : H01L 23/367
专利号 : ZL2006201160935
申请日 : 20060526
授权公告日 : 20070822
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101667771139
IPC(主分类) : H01L 23/367
专利号 : ZL2006201160935
申请日 : 20060526
授权公告日 : 20070822
终止日期 : 无
2009-07-08 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 华上光电股份有限公司
变更后权利人 : 华信光电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾,邮编 :
变更后 : 中国台湾,邮编 :
登记生效日 : 20090605
变更前权利人 : 华上光电股份有限公司
变更后权利人 : 华信光电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾,邮编 :
变更后 : 中国台湾,邮编 :
登记生效日 : 20090605
2007-08-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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