第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层...
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摘要
本发明涉及第一和第二有机半导体层以及包括该第一和第二有机半导体层的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a)所述第一有机半导体层包含：金属掺杂剂，和式(I)的化合物：以及b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。
基本信息
专利标题 ：
第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503297A
申请号 ：
CN202080066558.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃莱娜·嘉兰加西亚本杰明·舒尔策沃洛季米尔·森科维斯基弗拉迪米尔·乌瓦罗夫
申请人 ：
诺瓦尔德股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
郭国清
优先权 ：
CN202080066558.3
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/50 H01L51/52
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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