电子器件和包括其的半导体装置
公开
摘要
本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。
基本信息
专利标题 ：
电子器件和包括其的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447222A
申请号 ：
CN202110775788.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋政奎金润洙金海龙朴报恩李银河李周浩李香淑赵龙僖曹恩爱
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
金拟粲
优先权 ：
CN202110775788.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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