先进封装应用的差别对比镀覆
实质审查的生效
摘要
提供将金属电镀至衬底上部分制成的电子装置的特征(具有实质上不同深度)中的方法。该方法包括将加速剂吸附至凹陷特征的底部中；在电镀溶液中通过自下向上填充机制部分地填充特征；使整平剂扩散至浅特征中，以相比于深特征而降低浅特征中的镀覆速率；以及将更多金属电镀至特征中，以使深特征中的金属高度近似于浅特征中的金属高度。
基本信息
专利标题 ：
先进封装应用的差别对比镀覆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514340A
申请号 ：
CN202080067446.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斯蒂芬·J·巴尼克二世雅各布·柯蒂斯·布里肯斯德费尔凯拉什·文卡特拉曼贾斯廷·奥伯斯特蔡利鹏布莱恩·L·巴卡柳史蒂芬·T·迈耶
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080067446.X
主分类号 ：
C25D7/12
IPC分类号 ：
C25D7/12 C25D17/00 H01L23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25D 7/12
申请日 : 20200722
申请日 : 20200722
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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