制造多个纳米层晶体管以增强多重堆叠CFET性能的方法
公开
摘要
提供了一种半导体器件。该半导体器件具有形成在衬底上方的第一晶体管对。第一晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管具有第一沟道区，该第一沟道区包括具有第一应力的一个或多个第一纳米沟道。该一个或多个第一纳米沟道沿着该衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。p型晶体管具有第二沟道区，该第二沟道区包括具有第二应力的一个或多个第二纳米沟道。该一个或多个第二纳米沟道沿着衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。第一沟道区中的一个或多个第一纳米沟道中的每一个和第二沟道区中的一个或多个第二纳米沟道中的每一个分别被栅极结构围绕。
基本信息
专利标题 ：
制造多个纳米层晶体管以增强多重堆叠CFET性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514608A
申请号 ：
CN202080069344.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·吉姆·富尔福德马克·加德纳
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杜诚
优先权 ：
CN202080069344.1
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L27/06 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/16 H01L29/161 H01L29/423 H01L29/775 H01L29/786 H01L21/335 H01L21/822 H01L21/8238 B82Y10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
