一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种磁随机存储器、存储芯片、电子设备，磁随机存储器包括多个呈阵列排布的磁隧道结单元，磁隧道结单元包括衬底层及设于衬底层上的缓冲层、磁自由层、隧穿绝缘层、铁磁层及钉扎层，缓冲层设于衬底层与磁自由层之间；磁自由层包括第一化合物，第一化合物包括Cr元素和S元素，第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；其中，隧穿绝缘层设于磁自由层与铁磁层之间，以形成异质结结构；其中，钉扎层设于铁磁层上，用于固定铁磁层的磁化方向。本申请提供了一种能与现有工艺兼容又不需要大电流翻转磁矩的磁随机存储器及其制备方法、存储芯片、电子设备。
基本信息
专利标题 ：
一种磁随机存储器及存储芯片、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335326A
申请号 ：
CN202110213470.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈鑫
申请人 ：
深圳英集芯科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋(万科云城三期C区八栋)A座3104房研发用房
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202110213470.6
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/06 H01L43/14 H01L43/10 H01L27/22
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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