一种半导体叠阵的制备方法
授权
摘要
本申请提供一种半导体叠阵的制备方法，涉及半导体技术领域，包括将多个芯片条和多个热沉间隔固定形成层叠结构，其中，每一个所述芯片条的发射面的两侧分别设置有所述热沉；将多个所述热沉的一端分别伸入冷却液内。先将多个热沉和多个芯片条间隔固定以形成层叠结构，使芯片条发射面的两侧均可通过热沉传导热量进行散热，再将热沉的一端浸入到冷却液内，以将芯片条的热量与冷却液进行热交换，达到对芯片条高效散热的目的。本制备方法简单，制成的半导体叠阵能高效地散热，保证半导体叠阵的工作性能，提高了半导体叠阵的工作可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体叠阵的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097165A
申请号 ：
CN202110353483.3
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-31
授权号 ：
CN113097165B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
雷谢福惠利省李靖张艳春赵卫东杨国文
申请人 ：
度亘激光技术(苏州)有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张洋
优先权 ：
CN202110353483.3
主分类号 ：
H01L23/44
IPC分类号 ：
H01L23/44 H01L23/367 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/44
完全浸入流体而不是空气中的完整器件
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/44
申请日 : 20210331
申请日 : 20210331
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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