γ射线辐照后CCD饱和信号的原位测量系统及方法
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摘要
本发明提供一种γ射线辐照后CCD饱和信号的原位测量系统及方法，该系统和方法能够有效降低现有测量系统在开展γ射线辐照实验时测试的繁琐度和实验人员的危险性，提高实验效率；同时，该系统和方法能获取辐照完成后短时间内的饱和信号参数，为研究CCD的60Coγ射线辐照总剂量效应提供测试技术支撑。该原位测量系统包括光源单元、辐射源单元、CCD辐照单元、信号处理单元和上位机；辐射源单元用于诱发CCD辐照单元产生电离损伤；光源单元用于给CCD辐照单元提供均匀光源，使其达到饱和工作状态；信号处理单元用于采集CCD辐照单元的图像数据，并将图像数据无线长距离的传输至上位机；上位机接收图像数据并对其进行处理，获得饱和信号的变化曲线。
基本信息
专利标题 ：
γ射线辐照后CCD饱和信号的原位测量系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113203931A
申请号 ：
CN202110456924.2
公开（公告）日 ：
2021-08-03
申请日 ：
2021-04-25
授权号 ：
CN113203931B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
王祖军焦仟丽薛院院贾同轩马武英何宝平刘敏波盛江坤
申请人 ：
湘潭大学;西北核技术研究所
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区西郊羊牯塘湘潭大学
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
郑丽红
优先权 ：
CN202110456924.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-08-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20210425
申请日 : 20210425
2021-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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