三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法
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摘要

本发明提供三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导,包括介质基片,介质基片的上下两个表面为金属敷层且纵向两侧设置有金属化通孔阵列;介质基片的上表面金属敷层上设置有与其连接的环‑伞形立体阻抗网络,环‑伞形立体阻抗网络为金属贴片和金属化通孔的组合,金属贴片和上表面金属敷层之间留有缺口,金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络,蛇形阻抗网络包括横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线,相邻的横向蛇形线以及纵向微带线对应连接。本发明可实现电场和磁场的双向分离,使基片集成波导获得更强烈的慢波效应,进而能够减小横向尺寸,获得更良好的小型化效果。

基本信息
专利标题 :
三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113285197A
申请号 :
CN202110553726.8
公开(公告)日 :
2021-08-20
申请日 :
2021-05-20
授权号 :
CN113285197B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
王未来黄永茂何宇周婷江婉卿朝进
申请人 :
西华大学
申请人地址 :
四川省成都市金牛区土桥金周路999号
代理机构 :
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
薛波
优先权 :
CN202110553726.8
主分类号 :
H01P3/16
IPC分类号 :
H01P3/16  H01P3/08  H01P11/00  
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-09-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 3/16
申请日 : 20210520
2021-08-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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