一种隔断填充单元及多电压域低功耗芯片
授权
摘要
本发明公开了一种隔断填充单元及多电压域低功耗芯片，所述隔断填充单元，包括：依次层叠的衬底层、多晶硅层、扩散层以及金属层；所述扩散层包括N+扩散层以及P+扩散层；所述衬底层被隔断为第一衬底和第二衬底，且所述隔断填充单元布设在隔离单元的左右两侧时，将所述隔离单元的衬底隔离。通过实施本发明实施例，能提高隔离单元设置的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
一种隔断填充单元及多电压域低功耗芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113555372A
申请号 ：
CN202110744849.X
公开（公告）日 ：
2021-10-26
申请日 ：
2021-06-30
授权号 ：
CN113555372B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王锐谭钰鑫李建军莫军王亚波
申请人 ：
广芯微电子（广州）股份有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之227
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭浩辉
优先权 ：
CN202110744849.X
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20210630
申请日 : 20210630
2021-10-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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