包括具有写辅助单元的单元阵列的集成电路
公开
摘要
一种集成电路包括单元阵列、多条字线、至少一条写辅助线以及行驱动器，单元阵列包括位于多个第一行中的多个存储单元和位于至少一个第二行中的多个写辅助单元，多条字线分别在多个第一行上延伸，至少一条写辅助线分别在至少一个第二行上延伸，行驱动器连接到多条字线和至少一条写辅助线，行驱动器被配置为：在写操作期间通过至少一条写辅助线启用多个写辅助单元中的至少一个写辅助单元，其中，多个写辅助单元中的每个写辅助单元包括与多个存储单元中的每个存储单元相同的晶体管配置并且具有与多个存储单元中的每个存储单元相同的占用面积。
基本信息
专利标题 ：
包括具有写辅助单元的单元阵列的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446351A
申请号 ：
CN202111098713.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔憙庆崔泰敏郑盛旭赵健熙
申请人 ：
三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111098713.2
主分类号 ：
G11C11/419
IPC分类号 ：
G11C11/419 H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11548
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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