本发明涉及一种高纯钽靶材的制备方法，属于难熔金属制备特种技术领域。所。所述方法通过：以五氟化钽和氢气为反应原料，或五氯化钽和氢气为反应原料进行化学气相沉积，线切割加工去基体，得到纯度为99.999％以上的高纯钽板；将所述高纯钽板进行轧制，得到轧制坯料；将所述轧制坯料在真空或惰性气体气氛保护下进行热处理再结晶得到钽靶坯料，经过机械加工，将加工后的钽靶坯料与背板焊接得高纯钽靶材。所述方法制备出的钽靶材纯度高达99.999％以上，较传统工艺粉末冶金制备出的钽靶材相比纯度更高，有效避免了溅射过程中钽靶材在电子轰击作用下内部杂质元素被转移到终端产品上，有效提高了终端产品的稳定性。