一种超高纯铜靶材及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种超高纯铜靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将超高纯铜粉装入包套中，进行夯实处理；(2)将步骤(1)所述夯实后的包套进行脱气处理；(3)将步骤(2)所述脱气后的包套在700‑750℃下进行热等静压处理，得到所述超高纯铜靶材。对脱气处理前的铜粉进行夯实处理，只需进行一次热等静压处理便可得到超高纯铜靶材，无需在脱气处理之前进行冷等静压处理，具有工艺简单、能耗较低、生产效率高、生产成本低等优点；由所述制备方法制备得到的超高纯铜靶材的致密度≥99.8％，晶粒尺寸为≤25μm以及内部组织均匀性良好。
基本信息
专利标题 ：
一种超高纯铜靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622175A
申请号 ：
CN202210281211.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚力军潘杰王学泽周友平慕二龙汪焱斌
申请人 ：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
牛海燕
优先权 ：
CN202210281211.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 B22F3/15 B22F3/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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