一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)原料硅、原料钛和原料铝进行预处理；(2)设备和工具进行表面涂层处理；(3)预处理后的原料进行熔炼；(4)熔炼后的合金进行依次除气和结晶成型；(5)合金材料进行变形工艺，形成所述超高纯硅钛溅射靶材合金；所述制备方法通过优选高纯度原料和合金熔融步骤，同时在设备和工具表面涂层处理，实现了金属元素的纯度控制和均匀分布，得到了杂质H元素的含量水平符合要求、晶粒均匀的超高纯度铝靶材。
基本信息
专利标题 ：
一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114427081A
申请号 ：
CN202210095951.6
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚力军潘杰王学泽仝连海
申请人 ：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐浩
优先权 ：
CN202210095951.6
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C22C1/02 C22C21/00 B22D1/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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