一种钼合金溅射靶材的制备工艺
公开
摘要
本发明属于高温难熔金属靶材制备领域，具体涉及一种钼合金溅射靶材的制备工艺，本发明采用粉末冶金方法制备，靶材所用原料包含合计原子百分比0.5％‑‑40％的Ga、Ni、Nd元素组中的至少一种元素和原子比0.5％‑‑40％的Ti作为掺杂金属，余量为Mo和不可避免的杂质；本发明经过原料配比、原料混合、胶套装粉定型、冷等静压作业、热等静压作业、热轧作业和机加工作业，得到最终所需产品尺寸；本发明工艺步骤简单，操作便捷，制备的钼合金溅射靶材耐氧化性、耐湿性、与PR胶的粘合力等各项技术指标优秀，可满足高端电子产品镀膜领域使用需求，且生产成本低，产品尺寸宽泛，便于工业化批量生产。
基本信息
专利标题 ：
一种钼合金溅射靶材的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293160A
申请号 ：
CN202111563484.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张雪凤李帅方方宏陈亚光宁来元郭雅俊
申请人 ：
洛阳高新四丰电子材料有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市中国(河南)自由贸易试验区洛阳片区高新河洛路269号
代理机构 ：
广东众达律师事务所
代理人 ：
张雪华
优先权 ：
CN202111563484.7
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B22F5/00 C22C27/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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