本发明属于难熔金属钒溅射靶材技术领域，具体涉及一种集成电路芯片用大尺寸超高纯钒溅射靶材及其制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，将钒与氟气在高温条件下反应，制备出粗品五氟化钒；步骤S2，将粗品五氟化钒经真空蒸馏法、吸附法和金属还原法提纯后，得到高纯度五氟化钒；步骤S3，将高纯度五氟化钒采用化学气相沉积法还原成超高纯金属钒；步骤S4，将超高纯金属钒沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸超高纯钒溅射靶材；本发明制作的超高纯钒溅射靶材以高纯氮气稀释的氟气、高纯钒粉和氢还原气体为原料，在特制的化学气相沉积(CVD)设备中一步完成，反应过程为连续气相反应，产品各向一致性和批次间一致性远优于传统的钒靶材，所制备的钒靶材纯度达到99.9999％。