大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺
实质审查的生效
摘要
本发明属于钼溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺。所述大尺寸钼溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将钼与三氟化氮在高温条件下反应，制备出粗品六氟化钼；对所述粗品六氟化钼经真空蒸馏法和吸附法提纯后，得到高纯度六氟化钼；采用化学气相沉积法，用还原气体将高纯度六氟化钼还原成金属钼；将金属钼沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸钼溅射靶材。本发明制作的超高纯钼溅射靶材以高纯三氟化氮、高纯钼粉和还原气体(氢气)为原料，在化学气相沉积设备中一步完成，反应过程为连续气相反应，产品各向一致性和批次间一致性远优于传统钼靶材。
基本信息
专利标题 ：
大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318256A
申请号 ：
CN202111621882.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐从康马赛贺涛陈箫箫
申请人 ：
亚芯半导体材料（江苏）有限公司;亚芯电子科技（常州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市天宁区青洋北路143号创业服务中心内
代理机构 ：
常州市权航专利代理有限公司
代理人 ：
周洁
优先权 ：
CN202111621882.X
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C16/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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