增强的含氧化物溅射靶合金组合物
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种溅射靶，其包括钴(Co)、铂(Pt)、单组分氧化物或多组分氧化物，以及单体金属添加剂。该单体金属添加剂具有大于－0.03电子伏特的还原电势，并且在室温下与钴(Co)基本上不相溶。该单体金属添加剂为铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)，且溅射靶还含有铬(Cr)和/或硼(B)。该溅射靶含有2－10原子％的铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)或其它单体金属添加剂。因此，该增强的溅射靶通过磁晶各向异性的增强和晶粒－晶粒隔离的增加使得热稳定性和SNR得到了显著的改善。
基本信息
专利标题 ：
增强的含氧化物溅射靶合金组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1880501A
申请号 ：
CN200610067822.7
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·吉恩·拉辛阿尼班·达斯史蒂文·罗杰·肯尼迪郑京
申请人 ：
黑罗伊斯公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林潮
优先权 ：
CN200610067822.7
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/14 G11B5/62 G11B5/84
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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