含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
磁记录介质，其包括衬底、和在衬底上形成的数据存储薄膜层。数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分氧化物。多组分氧化物具有还原电位小于－0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子。另外，多组分氧化物具有磁导率小于10－6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。多组分氧化物的介电常数大于5.0。溅射靶另外包括铬(Cr)和/或硼(B)。
基本信息
专利标题 ：
含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1952207A
申请号 ：
CN200510114066.4
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·吉恩·拉辛安尼尔班·戴斯史蒂文·罗杰·肯尼迪程远达
申请人 ：
黑罗伊斯有限公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
樊卫民
优先权 ：
CN200510114066.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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