一种高纯钨靶材的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高纯钨靶材的制备方法，属于难熔金属制备特种技术领域。所述方法利用化学气相沉积通过控制核心参数制备高纯钨板，进一步采用高温轧制和热处理再结晶进行加工，最后通过机械加工后与背板焊接得到高纯钨靶。所述方法制备出的钨靶材纯度高达99.9999％以上，较利用粉末冶金制备出的钨靶材相比纯度更高，杂质更少，这使得在磁控溅射中，有效避免了钨靶材在电子轰击作用下内部杂质元素被转移到终端产品上，可大幅度提高终端产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯钨靶材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457319A
申请号 ：
CN202111161994.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亚峰王占卫彭立培冀延治冀嘉梁林坤王志民冯海波
申请人 ：
中国船舶重工集团公司第七一八研究所
申请人地址 ：
河北省邯郸市展览路17号
代理机构 ：
北京理工大学专利中心
代理人 ：
周蜜
优先权 ：
CN202111161994.1
主分类号 ：
C23C16/14
IPC分类号 ：
C23C16/14 B21B3/00 C22F1/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
C23C16/08
自金属卤化物
C23C16/14
仅沉积一种其他的金属元素
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/14
申请日 : 20210930
申请日 : 20210930
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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