半导体存储器装置
公开
摘要
提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区，并且跨位线间隔件与位线间隔开；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔件之间的第二间隔件。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512164A
申请号 ：
CN202111209532.2
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安智英安容奭金铉用严敏燮魏胄滢李埈圭崔允荣
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202111209532.2
主分类号 ：
G11C11/401
IPC分类号 ：
G11C11/401 G11C11/15
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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