本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内；该方法有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。