一种高温高压条件下制备硅灰石单晶的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高温高压条件下制备硅灰石单晶的方法，以固态的四水合硝酸钙粉末、固态的九水合硝酸铁(III)粉末、固态的四水合硝酸锰(II)粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇作为起始原料制备出玻璃态的硅灰石单晶圆柱体样品；以固态的天然滑石粉末、固态的α相针铁矿粉末、固态的片水锰矿粉末、固态的熟石灰粉末制备出水源片；将水源片放置在圆柱体样品两端一起放入金钯合金样品管内，经过高温高压反应后制备出硅灰石单晶；解决了现有技术高含铁的、高含锰的和高含水的硅灰石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含铁的、高含锰的和高含水的硅灰石单晶实验样品。
基本信息
专利标题 ：
一种高温高压条件下制备硅灰石单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318491A
申请号 ：
CN202111499124.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
代立东胡海英
申请人 ：
中国科学院地球化学研究所
申请人地址 ：
贵州省贵阳市观山湖区林城西路99号
代理机构 ：
贵阳中新专利商标事务所
代理人 ：
商小川
优先权 ：
CN202111499124.5
主分类号 ：
C30B1/12
IPC分类号 ：
C30B1/12 C30B29/22 C30B1/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
C30B1/12
生长期间的压力处理法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 1/12
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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