微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器，微发光二极管包括外延层和介质层；外延层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，且具有相对设置的第一表面和第二表面，第一半导体层位于外延层靠近第一表面的一侧；外延层配置有台面，台面暴露出第一半导体层，且朝向第二表面；介质层覆盖第一表面和外延层的至少部分侧壁，且介质层在外延层侧壁的高度H1小于台面的高度。本申请在外延层中的第一表面设置介质层，该介质层可作为应力修复层，在利用激光剥离工艺使基板与微发光二极管分离的过程中，避免外延层出现裂缝等缺陷或者避免利用蚀刻工艺对外延层所造成的粗化损伤进一步扩大，提高微发光二极管的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388668A
申请号 ：
CN202111510374.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴政李佳恩
申请人 ：
厦门市三安光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王立红
优先权 ：
CN202111510374.4
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/24 H01L33/00 H01L25/075
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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