一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频实现方法
实质审查的生效
摘要
一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频方法，属于微波光子技术领域，解决现有技术中基于分立器件实现的微波光子下变频系统尺寸大、不利于集成以及现有的微波光子下变频技术方案复杂度高、能量损耗较大、系统转换效率低的问题；在与CMOS工艺兼容的SOI平台上集成光栅耦合器、两个硅基相位调制器、热光移相器、2×2的3dB光耦合器、GeSi平衡光探测器，实现了芯片化，尺寸小、集成度高；使用两个硅基相位调制器即可实现微波光子信号下变频，结构简单、链路损耗小、变频效率高；采用平衡式差频探测，两路光电流信号相减，部分噪声和直流项被抵消，降低了系统中激光器产生的输入噪声水平。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114285480A
申请号 ：
CN202111523769.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐珍珠朱宇鹏高旭东崇毓华曹继明梅理李泽正涂路奇
申请人 ：
中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号
代理机构 ：
合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑浩
优先权 ：
CN202111523769.8
主分类号 ：
H04B10/50
IPC分类号 ：
H04B10/50 H04B10/548
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04B 10/50
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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