具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧裸露的第一外延层上表面嵌有阳极终端结；还包括第一阳极发射区与阳极钝化层、各个欧姆金属、中心阳极、逆导阴极、门极；第一外延层的下表面从边缘向中心依次覆盖有三个缓冲层及两个阴极隔离结，还包括各个欧姆金属、阴极钝化层、阴极。本发明还公开了该种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT的制造方法。本发明的器件，在导通状态下，具有更强的通流能力。
基本信息
专利标题 ：
具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388651A
申请号 ：
CN202111533149.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王曦李娜蒲红斌封先锋胡继超王浩
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
王奇
优先权 ：
CN202111533149.2
主分类号 ：
H01L31/111
IPC分类号 ：
H01L31/111 H01L31/0336 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/111
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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