具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法
公开
摘要
公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；沟道部，包括：第一部分，包括相对于衬底突出的鳍状结构；第二部分，在第一部分上方且与第一部分间隔开，包括一个或多个彼此间隔开的纳米线或纳米片；源/漏部，设于沟道部在第一方向上的相对两侧，与沟道部相接；以及栅堆叠，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，以与沟道部相交。
基本信息
专利标题 ：
具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566549A
申请号 ：
CN202210131205.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李永亮程晓红赵飞罗军王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202210131205.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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