一种晶圆单面蚀刻设备
公开
摘要
本发明公开了一种晶圆单面蚀刻设备，包括加工台，加工台上间隔地开设有多个用于水平放置待蚀刻的晶圆的圆形的摆片口，蚀刻设备还包括设于加工台上方的遮挡盖、设于加工台下方且具有封闭的内腔的喷雾槽，以及设于加工台下方的酸雾供给装置，喷雾槽的内腔与所有的摆片口相连通，酸雾供给装置包括用于向上喷雾的喷雾管路，喷雾管路设置在喷雾槽中，遮挡盖具有朝向加工台的遮挡面，遮挡盖具有打开状态与遮挡状态，当遮挡盖处于遮挡状态下，遮挡面覆盖在所有的摆片口的上方，且遮挡面贴合在所有的晶圆的上表面上。该蚀刻设备结构简单、占用空间小，安装便捷、操作方便、运行平稳，能够显著降低生产运行及维护成本。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆单面蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300384A
申请号 ：
CN202111544648.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖周芳邵树宝储冬华李团绪方周翔
申请人 ：
江苏芯梦半导体设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中经济开发区南湖路66号8幢101室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈婷婷
优先权 ：
CN202111544648.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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